专利：
1.坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法，专利号：ZL94 1 14075.X
2.阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法，专利号：ZL2005100297447
3.异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，申请号：200610148126.9
4.上海市企业标准－钨酸铅闪烁晶体，Q/KYD 0040-2007

成果：
2006年度上海市技术发明一等奖－“坩埚下降法大尺寸钨酸铅闪烁晶体制备”
2007年度国家技术发明二等奖－“大尺寸掺杂钨酸铅晶体及其制备技术”
2007上海国际工业博览会银奖－“大尺寸钨酸铅晶体”
2008年度欧洲核子研究中心CMS Crystal Award