美国宾州大学材料研究所材料科学与工程教授Jon-Paul Maria等研究人员近日在《应用物理学杂志》（Journal of Applied Physics）发表论文，称掺杂镁的氧化锌（magnesium-substituted zinc oxide）呈现铁电性，这一铁电新材料有望在低能耗条件下提高数字信息存储能力。

　　铁电材料指在一定温度范围内具有自发极化, 且极化方向能被外加电场改变的材料。铁电材料可在无外加电源的情况下保持较稳定的极化状态，因此可提供低能耗的数据存储解决方案。Jon-Paul Maria教授表示，该团队发现的新材料可制作微型电容器并设定极化方向。新材料由掺杂镁的氧化锌薄膜制作，该薄膜通过溅射沉积法制备，即氩离子以高速冲击含有镁和锌的标靶，使镁、锌原子脱离标靶并以气相状态游移，直至发生氧化反应，最后在铂金涂层的氧化铝基质上沉积而形成薄膜。

　　铁电新材料研发的下一步是将其制成厚度约为10纳米、长度约为20—30纳米的电容器。研究人员需要想办法控制材料的沉积，防止出现瑕疵。这将是铁电新材料用于手机芯片新技术的关键所在。

　　注：本文摘自国外相关研究报道，文章内容不代表本网站观点和立场，仅供参考。

　　文章来源：科技部

　　文章链接：http://www.most.gov.cn/gnwkjdt/202109/t20210928_177093.html

　　特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，须保留本网站注明的“来源”，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，请与我们接洽。