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苏良碧 研究员

学历:博士研究生

电话:021-69906662

电子邮件:suliangbi@mail.sic.ac.cn

通讯地址:上海市嘉定区和硕路585号

邮政编码:201899

个人主页:无

个人简历:

苏良碧,现任中国科学院上海硅酸盐研究所所长。2019年获国家杰出青年科学基金。长期从事激光材料、人工晶体材料的研发工作,在激光晶体结构设计与新材料发展、近零缺陷人工晶体制备和极限性能应用等方面取得了重要研究成果。首次提出激活离子局域格位结构设计和调控的学术思想,发展了一系列具有优异光谱和激光性能的稀土掺杂氟化物激光晶体,为超强超快激光技术发展提供了核心材料基础;发展了热交换坩埚下降法(HEB)晶体生长新技术,解决了极限透过率、超高光学均匀性氟化钙晶体“卡脖子”问题。“八英寸紫外氟化钙晶体材料”成套制备技术实现成果转移转化,为国产光刻机关键光学元件的自主可控提供保障现担任中国稀土学会和中国晶体学会理事,《人工晶体学报》副主编,美国《应用光学》(Applied Optics)期刊专题编辑,《无机材料学报》、《硅酸盐学报》、《激光与光子学进展》等期刊编委。


主要研究方向:

1. 激光晶体材料的结构设计、制备技术与性能调控  

2. 晶体生长模拟、基础科学问题与晶体缺陷表征  

3. 晶体生长技术智能化研究  

4. 单晶光纤及其应用研究  


主要科研成果

近年承担主要项目(限5项):

1. 国家杰出青年科学基金“激光晶体材料”,2020.1-2024.12

2. 科技部重点研发项目“大尺寸激光晶体材料制备的关键技术与应用研究”,2022.11-2025.10

3. 中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划“人工晶体创新发展中的基础科学问题与极端应用”,2021.6-2026.6

4. 国家自然科学基金重点基金“全固态重频高功率超快激光晶体的基础研究”,2017.1-2021.12

5. 上海市科技创新行动计划“极端尺寸高性能人工晶体及元器件研发与产业化应用”,2020.11-2022.10


近年代表性论著(限5项):

1. 苏良碧,徐军,《氟化钙晶体材料及其应用》,科学出版社,2006

2.Liangbi Su *,Qingguo Wang,Hongjun Li,P. Camy,J. L. Doualan,A.Braud,R. Moncorge,Yaoyu Zhan,Lihe Zheng,Xiaobo Qian,Jun Xu*,Spectroscopic properties and CW laser operation of Nd, Y-codoped CaF2 single crystals,Laser Physics Letters,2013,10(3):035804

3. Dapeng Jiang,Yaoyu Zhan,Qian Zhang,Fengkai Ma,Liangbi Su *,Fei Tang,Xiaobo Qian,Jun Xu,Nd, Y:CaF2 laser crystals: novel spectral properties and laser performance from a controlled local structure,CrystEngComm,2015,17(38):7398~7405

4. Zhonghan Zhang, Shaozhao Wang, Xiaoyue Feng, Qinghui Wu, Xiaobo Qian, Anhua Wu, Jie Liu, Bingchu Mei, and Liangbi Su*, Growth, Characterization, and Efficient Continuous-Wave Laser Operation in Nd,Gd:CaF2 Single-Crystal Fibers, Crystal Growth Design, 2020, 20:6329?63365.

5. Kexin Liu, Ggang Bian, Zhen Zhang, Fengkai Ma, Liangbi Su*, Modeling and analyzing the glass-like heat transfer behavior of rare-earth doped alkaline earth fluoride crystals,CrystEngComm, 2022, 24: 6468


近年授权专利(限5项):

1. 一种掺杂有多种三价调剂离子的碱土金属氟化物激光晶体及其制备方法,(专利号:ZL201911081341.5,授权日期:2021年10月1日)

2. 一种通过上转换实现白光发射的晶体材料及其制备方法, (专利 ZL201810943027.2,授权日期:2021年7月13日  ) 

3. 钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法, (专利号:ZL201310027583.2,授权日期:2015年6月17日)

4. 一种坩埚下降法单晶生长炉及其应用,(专利号:ZL201110054634.1,授权日期:2013年3月13日)

5. 一种百微米直径单晶光纤的抛光方法,(专利号:ZL 202010931586.9,授权日期:2022年8月9日)


近年制定标准(限5项):

1. 激光晶体 掺钕氟化钙激光晶体元件(标准号:T/CSTM 00314-2023,发布日期:2023年01月13日)

2. 窗口晶体 紫外级氟化钙晶体(标准号:T/SCTM 00315-2023,发布日期:2023年01月13日)

3.  i-线光刻级氟化钙晶体元件(标准号:T/SCS000021-2023,发布日期:20230317日)