丁栋舟，博导，现任中国科学院上海硅酸盐研究所新材料中试研发中心主任、稀土氧化物闪烁晶体课题组长。入选中国科学院关键技术人才（2017）、中国科学院特聘核心（2022）、国家重点研发计划项目首席科学家（2022）、上海市东方英才计划拔尖/上海市优秀学术带头人（2025）。围绕稀土氧化物闪烁晶体制备科学与高性能化的关键科学技术问题，系统地开展了构效关系研究“微结构（配位多面体畸变、离子选择性占位/分凝）- 能量传递（能带/能级调制、电声子耦合、电子陷阱）-闪烁性能（各向异性、温度/辐照环境适应性）”，确定了离子掺杂设计准则，阐明了能量传递路线图，揭示了“电子陷阱-闪烁性能”关联性，建立了析晶动力学与晶格完整性的均衡机制，为超大尺寸高性能晶体制备与性能优化奠定了基础，研制的LYSO晶体支撑了高端应用。兼任中国材料与试验团体标准委员会（CSTM）光学晶体标委会主任、“光电材料领域委员会-人工晶体技术委员会-光电检测技术委员会”委员，中国稀土学会稀土晶体专业委员会委员，国家新材料测试评价平台先进无机非金属材料行业中心技术专家，中国稀土学会理事、稀土行业中心技术专家，《人工晶体学报》编委等职。

主要研究方向:

1. 高性能稀土氧化物闪烁晶体设计与制备科学

2. 闪烁晶体能量转换、传递与发光物理机制

3. 高时空分辨辐射探测元器件

主要科研成果

近年承担主要项目（限5项）：

1. 科技部国家重点研发计划项目“超快稀土闪烁晶体及其关键制备技术”，2022.11-2025.10    

2. 中国科学院重点项目，GAGG晶体及阵列研制，2024.1-2025.12；特殊领域国家任务，LYSO晶体及阵列研制，2022.1-2025.12；

3. 国家自然科学基金面上项目“高性能闪烁晶体GAGG:Ce的时间性能调控研究”，2023.1-2026.12；国家自然科学基金面上项目“铈掺杂硅酸镥晶体的微结构与闪烁性能研究”，2015.1-2018.12；

4. 东方英才计划拔尖项目，2026.1-2028.12；中国科学院关键技术人才项目， 2017.10-2020.9；

5. 横向委托开发项目“超大口径LYSO晶体研制”，2016.7-2025.3；

近年代表性论著（限5项）：

1. Effective Light Yield Enhancement and Defect Modulation of GAGG:Ce Scintillation Crystal by Ag Codoping, Journal of Luminescence, 293(2026)121803.

2. Substantial Enhancement of Light Yield in LYSO:Ce Crystals via Trace Co²⁺ Co-Doping, Chemical Engineering Journal, 529 (2026) 172884.

3. Enabling Sub-150 ps TOF-PET Imaging with Ultrafast-Efficient Oxide Scintillators by Synergistic Defect and Energy Transfer Engineering, Laser & Photonics Reviews, 2025, doi.org/10.1002/lpor.202500767

4. Mn-Ce co-activated garnet crystals as bright scintillators for fast gamma and high-performance X-ray imaging, Chemical Engineering Journal, 515 (2025) 163235. doi.org/10.1016/j.cej.2025.163235

5. Efcient and Ultrafast Oxyorthosilicate Scintillator by Activator Valence State Manipulation, ACS Applied Materials & Interfaces, 2024, doi.org/10.1021/acsami.4c09739, Published August 16, 2024.  Vol 16/Issue 34 (2024) 45197−45206·

近年授权专利（限5项）：

1. 高品質係数を持つ遷移金属元素ドープガーネット構造アルミン酸塩シンチレーション材料及びその製造方法並びに応用(JP7774674B2，授权日期：2025年11月13日)；一种高品质因子的过渡金属元素掺杂石榴石构型铝酸盐闪烁材料及其制备方法和应用（专利号：ZL 2023 1 1050925.2，授权日期：2025年08月12日）

2. 一种强吸电子元素掺杂稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用（专利号：ZL 202011280944.0，授权日期：2022年2月8日）

3. SCINTILLATION MATERIAL OF RARE EARTH ORTHOSILICATE DOPED WITH STRONG ELECTRON-AFFINITIVE ELEMENT AND ITS PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF（授权专利号：US_11567223_B2，授权日期：2023年1月31日）

4. 一种硅离子掺杂铝镓酸钆闪烁材料及其制备方法和应用（专利号：ZL 202011321956.3，授权日期：2022年2月8日）

5. 一种阴离子掺杂石榴石闪烁体及其制备方法与应用（授权专利号：ZL 202011575843.6，授权日期：2023年1月13日）

近年制定标准（限5项）：

1. TOF-PET 用超快硅酸钇镥闪烁晶体元件，（标准编号Q/SIC 2007-2025，发布日期2025-07-01)

2. XFEL用稀土掺杂超快氟化铯闪烁晶体元件（标准编号Q/SIC 2006-2025，发布日期2025-07-01)

3. 铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体（标准编号T/SARE0002-2020，发布日期：2020年3月2日）；铈掺杂硅酸钇闪烁晶体（标准编号：T/CSTM 00035-2020，发布日期：2020年8月3日）

4. 铈掺杂铝镓酸钆闪烁晶体（标准编号T/CSTM 00036-2020，发布日期：2020年8月3日）

5. 铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列（标准编号：T/CSTM 00032-2020，发布日期：2020年8月3日）