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赵书文 副研究员

学历:博士

电话:15527546957

电子邮件:zhaoshuwen@mail.sic.ac.cn

通讯地址:上海市嘉定区和硕路588号

邮政编码:201899

个人主页:https://people.ucas.edu.cn/~zsw

个人简历:

个人简历:

赵书文,硕导,现任中国科学院上海硅酸盐研究所功能晶体与器件全国重点实验室主任助理。主持国家自然基金青年基金(C类)、院重点部署课题、某实施中心国家专项等若干项目,作为任务负责人参与科技创新2030国家科技重大专项。长期从事高时间分辨LYSO:Ce闪烁晶体及元器件开发与应用研究,建立了晶体局域结构畸变-陷阱能级-闪烁性能规律,提出缺陷抑制协同热猝灭机制,实现了该体系国际已知最快发光,支撑了核医学影像、特殊领域尖端应用。牵头/参与制定标准6份,发表学术论文32篇,中美日授权发明专利21项。

 

主要研究方向:

1. 无机闪烁晶体组分设计、制备与性能表征分析研究;

2. 基于无机闪烁晶体的探测器及其应用研究;

3. 新型无机闪烁晶体的探索。

 

主要科研成果:

近年承担主要项目:

1. 科技创新2030项目“超高分辨闪烁晶体应用验证”课题一“超快闪烁晶体批量制备与应用”,2026.1-2028.12

2. 国家自然科学基金青年基金项目(C类)“辐射探测用超快高亮掺铈硅酸钇镥闪烁晶体组分设计与光谱调控研究”,2024.1-2026.12

3. 某实施中心国家专项项目“闪烁光纤阵列制备技术研究”,2024.11-2026.10

4. 中国科学院重点项目“GAGG晶体及阵列研制”课题一“大尺寸晶体制备”,2024.1-2025.12

5. 中国博士后科学基金面上项目“铈离子超快高亮闪烁发光与基质局域结构构效关系研究”,2024.1-2025.12

 

近年代表性论著:

1. Chengyi Li†; Shuwen Zhao†; Aochen Zhang; Zhongjun Xue; Peng Qiu; Fan Yang; Dongzhou Ding*; Enabling sub-150 picosecond TOF-PET imaging with ultrafast-efficient oxide scintillators by synergistic defect and energy transfer engineering, Laser & Photonics Reviews, 2025, 19(23):e00767.

2. Chengyi Li; Aochen Zhang; Shuwen Zhao*; Jian Zhao; Peng Qiu; Zhongjun Xue; Dongzhou Ding*; Effect of isovalent and heterovalent substitution on scintillation properties of LYSO:Ce single crystals, Crystal Growth & Design, 2025, 26(1): 608-617.

3. Chengyi Li; Aochen Zhang; Zhongjun Xue; Peng Qiu; Zhe Zhang; Shuwen Zhao*; Dongzhou Ding*; Efficient and ultrafast oxyorthosilicate scintillator by activator valence state manipulation, ACS Applied Materials & Interfaces, 2024, 16(34): 45197-45206.

4. Zhongjun Xue; Bo Wan; Aochen Zhang; Zhe Zhang; Jing Yang; Xiang Zheng; Jianjun Xie; Junjie Shi; Shuwen Zhao*; Dongzhou Ding*; Slow emission suppression in YSO:Ce scintillation crystals by Cr codoping, Crystal Growth & Design, 2024, 24(3): 1024-1031.

5. Aochen Zhang; Zhongjun Xue; Jingjing Qu; Yuchong Ding; Shuwen Zhao*; Dongzhou Ding*; Novel phenomenon of scintillation performances with the component variation in the Mg co-/nondoped GAGG:Ce crystal, Crystal Growth & Design, 2023, 23(7): 5346-5354.

 

近年授权专利:

1. 高品質係数を持つ遷移金属元素ドープガーネット構造アルミン酸塩シンチレーション材料及びその製造方法並びに応用(JP7774674B2,授权日期:2025年11月13日);一种高品质因子的过渡金属元素掺杂石榴石构型铝酸盐闪烁材料及其制备方法和应用(专利号:ZL 2023 1 1050925.2,授权日期:2025年08月12日)

2. 一种强吸电子元素掺杂稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用(专利号:ZL 202011280944.0,授权日期:2022年2月8日)

3. SCINTILLATION MATERIAL OF RARE EARTH ORTHOSILICATE DOPED WITH STRONG ELECTRON-AFFINITIVE ELEMENT AND ITS PREPARATION METHOD AND APPLICATION THEREOF(授权专利号:US_11567223_B2,授权日期:2023年1月31日)

4. 一种硅离子掺杂铝镓酸钆闪烁材料及其制备方法和应用(专利号:ZL 202011321956.3,授权日期:2022年2月8日)

5. 一种阴离子掺杂石榴石闪烁体及其制备方法与应用(授权专利号:ZL 202011575843.6,授权日期:2023年1月13日)

 

近年制定标准:

1. TOF-PET 用超快硅酸钇镥闪烁晶体元件,(标准编号Q/SIC 2007-2025,发布日期2025-07-01)

2. XFEL用稀土掺杂超快氟化铯闪烁晶体元件(标准编号Q/SIC 2006-2025,发布日期2025-07-01)

3. 铈掺杂硅酸钇闪烁晶体(标准编号:T/CSTM 00035-2020,发布日期:2020年8月3日)

4. 铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列(标准编号:T/CSTM 00032-2020,发布日期:2020年8月3日)

5. 硫酸钡基反射层(标准编号:T/CSTM 00034-2020,发布日期:2020年8月3日)