一种用作可穿戴应变传感器的石墨烯二维网格结构及其制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种用作可穿戴应变传感器的石墨烯二维网格结构及其制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202011590171.6

申请日期:

2020/12/29

第一发明人:

杨金山

其他发明人:

董绍明，游潇，丁玉生，高乐

专利授权日期:

20220510