一种低接触电阻率的半赫斯勒合金热电器件及制备方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种低接触电阻率的半赫斯勒合金热电器件及制备方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201910054270.3

申请日期:

2019/1/21

第一发明人:

陈立东

其他发明人:

邢云飞，柏胜强，刘睿恒

专利授权日期:

20220408