课题组采用改进的坩埚下降法生长技术成功生长出直径3.5英寸的弛豫铁电单晶，包括PMN-PT(PMNT), PIN-PMN-PT(PIMNT)，并达到批量生长水平。这些晶体成功实现了沿<001>和<110>的定向生长，保证了(001)和（110）晶片高的性能均匀性，满足了高端彩色超声成像用纯净波探头及水声换能器对压电单晶材料性能及其均匀性的要求。 

　　（一）产品及主要性能： 

　　1、PMNT晶体 

　　PMN-xPT晶体成分为x=0.28~0.32。 

　　PMNT晶体（001）切型的介电常数ε>4500，介电损耗tanδ<1.0%, 压电常数d₃₃>1500~2500pC/N, 居里温度T_c~130-140℃, 退极化温度T_RT~ 70-100℃，矫顽场Ec~2.3-2.8kV/cm。 

　　PMNT晶体(110)切型的压电常数d₃₂>-1500pC/N，d₁₅>4000pC/N。 

　　2、PIMNT晶体 

　　yPIN-PMN-xPT晶体成分为x=0.28~0.32，y=0.23-0.35。 

　　PIMNT晶体（001）切型的介电常数ε>4500，介电损耗tanδ<0.7%, 压电常数d₃₃>1500~2500pC/N, 居里温度T_c~160-190℃, 退极化温度T_RT~100-130℃，矫顽场Ec~4.5-6.5kV/cm。 

　　PMNT晶体(110)切型的压电常数d₃₂>-1500pC/N，d₁₅>4000pC/N。 

　　（二）产品交付状态与可加工尺寸： 

　　1、PMNT，PIMNT晶体产品形态：长方片、方片、圆片、圆环片； 

　　2、表面状态：细磨、抛光； 

　　3、表面电极：镀金、镀银； 

　　4、极化状态：未极化、极化。 

　　5、可加工晶片最大尺寸：约为(20~30)mm×(60~70)mm，可根据用户需要进行定制。 

　　Φ3”弛豫铁电单晶(PIMNT, PMNT)     Φ65mm的Mn:PIMNT单晶 

弛豫铁电单晶PIMNT, PMNT晶片