硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

02111567.2

申请日期:

第一发明人:

周娟

其他发明人:

专利授权日期: