改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200710044966.5

申请日期:

2007-8-17

第一发明人:

高相东

其他发明人:

专利授权日期: