一种液相条件下制备硫氰酸亚铜薄膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种液相条件下制备硫氰酸亚铜薄膜的方法

专利类别:

发明专利

专利（申请）号:

200710044292.9

申请日期:

2007-7-27

第一发明人:

高相东

其他发明人:

专利授权日期: