一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

当前位置：首页 > 专利库

专利数据

专利名称:

一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

201711001140.0

申请日期:

第一发明人:

张景贤

其他发明人:

段于森,李晓光

专利授权日期:

20200818