一种磁控溅射制备高表面质量HfO2基混合薄膜的方法--中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利数据

专利名称:

一种磁控溅射制备高表面质量HfO2基混合薄膜的方法

专利类别:

发明

专利（申请）号:

202210038951.2

申请日期:

2022/1/13

第一发明人:

杨勇

其他发明人:

吕晓城，黄政仁，刘桂玲，魏玉全，姚秀敏

专利授权日期:

20221118