PLD 

脉冲激光沉积系统，真空度优于5×10^-9mba，衬底最高加热温度900℃（电阻式加热）/1000℃（激光加热），最多容纳6个1英寸靶（0~50rpm可调），高压RHEED电子枪能量最高可达30 keV（工作气压最高可达0.4 Torr）。 

双光束激光干涉仪 

采用非接触式非破坏的双光束激光干涉方法实现薄膜的铁电、压电等性能的高分辨率、快动态响应测试。具体功能包括：测试薄膜机电大信号应变、极化、压电系数、小信号介电常数、疲劳和电性能可靠性。 

偏场热释电性能综合测试系统 

自主研制的“偏场热释电性能综合测试系统”，在国内首次实现了偏置电场下热释电材料的热释电系数、介电常数和介电损耗的同步测量，可精确获得热释电材料探测率优值。 

PPMS综合物性测量仪 

可对多种材料的低温强磁场下的交直流磁学、交直流电输运、直流电阻率、介电性能等物性进行高精度的测量。具体测试项目包括：磁化率、电阻率、Hall系数、I-V曲线、介电常数等。 

振动冲击测试系统 

可对压电式加速度传感器灵敏度、频率响应（0.5Hz~20kHz）、共振频率（~50kHz）、冲击极限（20g~10000g）、冲击幅值线性度等性能进行测量。 

TM 3000台式扫描电镜 

陶瓷及粉体显微形貌表征（＜10000倍）。 

Keysight E4980A精密LCR仪表 

测量20Hz～2MHz的介电性能。 

高低温实验箱VT7004    

测量-70℃～180℃的介电性能。 

高温介电温谱测试系统    

测量室温～800℃的介电性能。 

aixACCT TF Analyzer 2000E铁电分析仪  

测量薄膜和陶瓷材料的铁电性能、应变性能。 

Agilent 4294A阻抗分析仪   

测量40Hz～110MHz压电、介电性能。 

Agilent 4291B阻抗分析仪    

测量1MHz～1.8GHz介电性能。